薄膜制備

物理外延是一項用于制備材料薄膜的高級技術(shù)，通過(guò)在真空或低壓環(huán)境中加熱固態(tài)材料，將其直接轉變?yōu)闅庀?，然后沉積到襯底表面，形成外延薄膜。這一領(lǐng)域涵蓋了多種技術(shù)，包括分子束外延(Molecular beam epitaxy)、磁控濺射(Magnetron Sputtering)以及基于分子束外延的解理鍍膜等。

物理外延技術(shù)適用于外延生長(cháng)化合物半導體薄膜、合金薄膜、氧化物薄膜和鈍化層等，在半導體器件制造、光電子學(xué)和激光器等領(lǐng)域得到廣泛應用。

費勉儀器以底層物理原理仿真模擬為核心技術(shù)，包括直接蒙特卡洛的源爐束流仿真和基于全物理量的襯底加熱器和源爐熱場(chǎng)仿真。

基于這一仿真模擬技術(shù)，我們成功自主開(kāi)發(fā)了適用于產(chǎn)線(xiàn)的分子束外延、磁控濺射和解理鍍膜設備。我們的獨創(chuàng )性大容量源爐、大尺寸襯底加熱器、閥式裂解源、高通量射頻等離子源、全自動(dòng)傳樣機械臂等核心部件，具有領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢，并已獲得多項發(fā)明專(zhuān)利。

此外，我們正在致力于研發(fā)最新的外延襯底技術(shù)，包括基于原子置換技術(shù)的硅基碳化硅復合襯底，以及適用于碳化硅、金剛石等襯底的等離子襯底拋光技術(shù)。硅基碳化硅復合襯底已完成樣機搭建調試和小批量3inch襯底生產(chǎn)，為氮化鎵、氧化鎵等寬禁帶器件提供了高質(zhì)量、低價(jià)格的外延襯底備選方案，并解決了碳化硅襯底和CMOS工藝不兼容的問(wèn)題，適用于硅光等新器件。

分子束外延

在分子束外延方面，我們已具備全系列分子束外延整機和核心部件的供貨能力。目前已實(shí)現單片3inch、單片4inch、單片8inch和多片3、4inch的分子束外延整機銷(xiāo)售，并通過(guò)外延工藝驗證，應用于GaAs、InP基等傳統材料外延，以及GaN、Ga2O3等新材料外延。我們還提供爐源、裂解源、襯底加熱器等核心部件，兼容用戶(hù)現有系統，并為量子器件等新材料、器件提供定制系統開(kāi)發(fā)。

鈍化設備

基于分子束外延技術(shù)開(kāi)發(fā)的化合物界面處理和鈍化設備，可實(shí)現激光巴條的腔面處理和鈍化，突破了國內卡脖子瓶頸。自2020年立項開(kāi)發(fā)以來(lái)，已累計銷(xiāo)售整機設備超過(guò)10臺，推動(dòng)國產(chǎn)激光巴條芯片實(shí)現量產(chǎn)。在設備開(kāi)發(fā)過(guò)程中，我們不僅攻克了真空解理的技術(shù)難題，并且基于等離子技術(shù)，推出自主研發(fā)高通量H原子源，為用戶(hù)提供更高效的腔面處理手段，該技術(shù)不僅可用于激光巴條的腔面清潔，并可用于Micro-LED等其他微結構中的關(guān)鍵界面處理，在化合物半導體器件工藝中有廣泛的應用前景。

磁控濺射

PV-200C 全自動(dòng)磁控生產(chǎn)線(xiàn)為多腔材料生長(cháng)提供解決方案。其典型應用包括磁隧道結和自旋邏輯器件(GMR、TMR、MRAM)、微機電系統(MEMS)、有機發(fā)光器件 (OLED)、太陽(yáng)能電池(PV、OPV)。

PV-200C 可實(shí)現多腔互聯(lián)，襯底無(wú)需暴露在大氣中，在真空中即可完成工藝流程。

PV-200C 擁有自動(dòng)按順序一次處理一個(gè)襯底或并行處理襯底以提高生產(chǎn)效率的能力?？蓪?shí)現襯底跟蹤，全過(guò)程數據記錄。

Fermi 磁控軟件有良好的人機交互界面，用戶(hù)可以自定義工藝配方，各類(lèi)傳感器及真空互鎖，保證設備高效安全運行。

在過(guò)去十多年發(fā)展中，我們已積累了豐富的全流程生產(chǎn)管理經(jīng)驗，并擁有專(zhuān)業(yè)的售后服務(wù)團隊，贏(yíng)得了國內外眾多客戶(hù)的高度認可和堅定信賴(lài)。近年來(lái)，公司成功吸引了多輪融資，擁有穩健的財務(wù)實(shí)力，為公司的項目開(kāi)發(fā)和長(cháng)期運營(yíng)提供全面的支持和保障。

未來(lái)，費勉儀器將繼續秉承以客戶(hù)為本、以質(zhì)量為先的服務(wù)準則，為客戶(hù)提供卓越的設備與產(chǎn)品，創(chuàng )造更多價(jià)值!