費勉前沿|MBE不同氧前驅體對外延β-Ga?O?薄膜的影響
β-Ga2O3作為超寬帶隙(UWBG)半導體材料中極具代表性的材料,具有大面積單晶片的可用性、對可見(jiàn)光的高透明度以及出色的穩定性,是制備日盲探測器的天然本征吸收材料。然而,β-Ga2O3分子束外延生長(cháng)機制仍不明確,特別是氧前驅體對β-Ga2O3生長(cháng)機制的影響尚未披露,這對氧化物外延層的薄膜質(zhì)量和光電器件的性能很重要。為了揭示氧前驅體對β-Ga2O3生長(cháng)機制的影響,研究者使用臭氧和氧等離子體前驅體對生長(cháng)的外延層的性質(zhì)進(jìn)行了表征,并從器件的光電特性對比兩種氧前驅體在制備β-Ga2O3的差異。
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